电子元器件
小信号器件、整流二极管、桥式整流器、快恢复二极管、碳化硅二极管、Traics、SCR、Mosfet、SIC二极管、SIC MOS, IGBT,光电耦合器、二极管模块、整流模块、SCR模块、IGBT模块、数字隔离、隔离接口、隔离驱动、隔离放大、霍尔电流传感器、图腾柱PFC，电解电容器、薄膜电容器、X/Y类电容器，陶瓷电容器，吸收保护薄膜电容器,直流高压继电器（无极性产品、磁保持产品）
工业物联网解决方案
协议网关（5000系列、6000系列），通用编程控制器，环网总线控制器，工业交换机，RTU，智能设备远程诊断系统，工业智能模块，软件
瑞能1200V碳化硅MOSFET产品使用独特的高性能与高可靠性兼备的平面栅自对准工艺，可提供出色的开关性能和苛刻应用条件下的强鲁棒性。此外，超薄的晶圆厚度和紧凑的单位元胞设计使得产品的比导通电阻达到业界较低水平。目前瑞能1200V碳化硅MOSFET包含160mΩ\80mΩ\40mΩ\25mΩ等多个规格，同时可提供TO247-3L, TO247-4L, D2PAK-7L等多种封装形式。可广泛应...
商务部消息，8月30日，美国Autel Robotics公司依据《美国1930年关税法》第337节规定向美国际贸易...
近日在台湾举办的“集成电路六十周年IC60特展”上，联发科靠前次公开拿出了自己的5G测试用原型机，搭载的是联发科M...
整流电路（Rectifier）尤其是单相桥式可控整流电路是电力电子技术中重要，也是应用得广泛的电路，不仅应用于一般工业，也广泛应用于交通运输、电力系统、通信系统、能源系统等其他领域。因此...
本文提出一种新颖的射频功率放大器电路结构，使用一个射频功率放大器实现GSM/DCS双频段功率放大功能，锐迪科的RDA6218就是采用这种结构。射频功率放大器管芯由原来的两个减少为一个，同时此结构...
IT资讯
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瑞能半导体科技股份有限公司（WeEn Semiconductors Co., Ltd）今天宣布，瑞能半导体首席执行官 Markus Mosen 荣膺 2020 年 ASPENCORE 全球电子成就奖 (WEAA) 之年度贡献人物奖。此外，瑞能半导体1200V 碳化硅 MOSFET也获得了年度功率最佳产品大奖
Markus Mosen先生拥有逾28年半导体行业全球运营和产品线管理经验，自2015年出任瑞能半导体科技股份有限公司CEO以来，凭借其极其敏锐的市场洞察力，奠定了瑞能半导体以科技为先的发展基础，带领团队先后开发并成立了中国、亚太，欧洲及北美区销售和市场业务办事处，扩大了瑞能的事业版图。面对2020年疫情带来的巨大挑战和国际市场不确定性，Markus先生根据市场动态和需求，及时调整了公司的组织架构和发展战略, 不断推进产品多元化发展，拓宽产品组合和产品应用。
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